1063WAFERMILL?離子光束延遲解決方案
離子束制備
延遲器從上到下的全晶片上多個預(yù)選區(qū)域。整個過程都是完全自動化的；無需手動觸摸晶圓。晶圓溶液支持計量學(xué)，包括CD-SEM樣品制備。
MODEL 1063 WaferMill? 離子束分層解決方案
從頂部開始對完整晶圓上的多個預(yù)選區(qū)域進(jìn)行分層。全自動工藝支持半導(dǎo)體處理的所有階段，適用于CD-SEM（關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡）樣品制備。
Model 1063 WaferMill? 離子束分層解決方案 規(guī)格說明
應(yīng)用
近線和在線設(shè)備前端模塊（EFEM）
設(shè)備前端模塊（EFEM）
由Brooks Automation制造，包括以下組件：
300 mm前開式統(tǒng)一盒（FOUP）加載站，可容納最多25片晶圓
配備被動末端執(zhí)行器的四軸晶圓搬運機(jī)器人
預(yù)對準(zhǔn)器，根據(jù)CD-SEM要求定位晶圓缺口
控制器單元
預(yù)抽真空室
300 mm VAT閥門接口，連接EFEM和負(fù)載鎖
雙波長紫外（UV）燈（253.7 nm 和 184.9 nm）安裝在預(yù)抽真空室內(nèi)
負(fù)載鎖
300 mm VAT閥門接口，連接預(yù)抽真空室和工藝腔室
晶圓存在傳感器指示晶圓是否在負(fù)載鎖內(nèi)
真空系統(tǒng)
兩個專用渦輪分子泵：一個在預(yù)抽真空室，一個在工藝腔室
無油隔膜泵用于支持渦輪分子泵
配備真空計的壓力監(jiān)測
氣動供應(yīng)
負(fù)載鎖和研磨腔室：
工藝氣體：純度99.999%的惰性氣體（氬氣）；20至30 psi
控制氣體：干燥氮氣；60 ±5 psi
負(fù)載鎖排氣氣體：清潔干燥空氣（CDA）；20至30 psi
自動氣體控制：三個質(zhì)量流量控制器（每個離子源一個）
MODEL 1063 WaferMill? 離子束分層解決方案
從頂部開始對完整晶圓上的多個預(yù)選區(qū)域進(jìn)行分層。全自動工藝支持半導(dǎo)體處理的所有階段，適用于CD-SEM（關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡）樣品制備。
工藝腔室
線性平臺以5 μm精度在X和Y方向上移動晶圓
靜電吸盤固定晶圓，通過消除晶圓彎曲提供均勻的研磨平面
晶圓存在傳感器指示晶圓是否在工藝腔室內(nèi)
基于KLARF文件的集成晶圓映射
離子源組件：三個離子源，間隔120°，位于水平面22.5°處。
可變能量操作（1.0至6.0 keV）
束流密度：10 mA/cm2
束斑尺寸：2 mm
點目標(biāo)定位功能，可將晶圓驅(qū)動至任何點進(jìn)行處理
轉(zhuǎn)臺/搖擺組件：
可搖擺±175°
角度偏差為±5°，步進(jìn)范圍0.1至2°
搖擺速度為1 rpm
自動終止
通過計時器
通過圖像處理；當(dāng)達(dá)到指定直徑時停止研磨
用戶界面
基于PC的界面：
可從EFEM和腔室側(cè)訪問
用于控制研磨過程
操作指示燈：堆棧燈
光學(xué)系統(tǒng)
用于束流過程監(jiān)控和圖像采集的光學(xué)系統(tǒng)：
視場：
15 mm（低倍率）
1.4 mm（高倍率）
電動變焦
電動聚焦
咨詢電話：13522079385
EFEM電氣要求
電氣系統(tǒng)：200-240 VAC，50/60 Hz，單相（L1, L2, PE）
系統(tǒng)滿載電流：20 A
恒定負(fù)載范圍：5-14 A，取決于配置
過電壓類別II
Jet電源分配單元配備10,000 AIC斷路器；SCCR 10,000 A
室內(nèi)真空：< 40 kPa（7 psi）
真空端口：8 mm快速連接
電源
208-240 VAC，50/60 Hz，5200瓦
保修
一年
